晶体管的测量方法主要包括以下几种：

  1. 直流参数测量：

  2. 正向电阻与反向电阻测量：使用万用表的红表笔接晶体管的假定正极（对于NPN型管，即基极），另一只表笔分别接触另外两个电极。如果测得的阻值很小，说明晶体管是正常的。正向电阻越大，反向电阻越小，说明晶体管的性能越好。

  3. 集电极-发射极电压Vce测量：在晶体管基极（对于NPN型）或发射极（对于PNP型）与集电极之间加入直流电压，然后使用万用表测量这个电压的大小。

  4. 集电极电流Ic测量：通过测量集电极电流来确定晶体管的性能。

  5. 交流参数测量：

  6. 输入输出特性曲线：通过给晶体管加正向电压并测量其集电极电流，可以绘制出输入输出特性曲线，从而了解晶体管的工作状态。

  7. 动态特性测量：通过快速改变输入信号的幅度，观察输出信号的变化，可以了解晶体管的动态响应特性。

  8. 其他测量方法：

  9. 偏置点校准：使用万用表对晶体管的三个电极进行偏置点校准，以确保测量的准确性。

  10. 温度系数测量：通过改变晶体管的工作温度，测量其性能参数的变化，从而了解温度对晶体管性能的影响。

在进行晶体管测量时，需要注意以下几点：

  1. 确保电路连接正确无误，避免短路或断路。
  2. 选择合适的量程和精度，以确保测量结果的准确性。
  3. 在测量过程中，注意安全操作，避免触电等危险情况的发生。

***还可以借助专业的测试仪器和方法来进行更为精确和全面的晶体管测量，如使用示波器观察晶体管的工作状态等。