光刻技术是一种用于在硅片上制作微小图形的技术，是半导体制造中的关键步骤。它通过使用光致抗蚀剂（也称为光刻胶）将掩模版上的图形转移到硅片表面，进而形成所需的微小结构。光刻技术可以细分为以下几种类型：
EUV光刻：
使用极短波长的极紫外光（EUV），波长在13.5nm左右。
适用于制造先进的微缩芯片，如5nm、3nm制程。
需要特殊的反射镜和光学系统来聚焦和投射光线。
DUV光刻：
使用深紫外光（DUV），波长在193nm左右。
常用于193nm浸没式光刻机中，通过浸没液提高分辨率。
是当前主流的工艺，适用于10nm至20nm制程。
ArF光刻：
使用准分子激光光束，波长为193nm。
通过优化光学系统和光源技术，实现了更高的分辨率和生产效率。
主要应用于193nm浸没式光刻机，也适用于部分10nm制程。
KrF光刻：
使用准分子激光光束，波长为248nm。
是DUV光刻向ArF光刻过渡的技术，适用于32nm至14nm制程。
GaN光刻：
针对氮化镓（GaN）材料的特殊光刻技术。
由于GaN材料具有高电阻率和带隙，需要特殊的光刻工艺来准确图形化。
包括电子束光刻和离子注入光刻等先进技术。
***根据应用领域和工艺流程的不同，光刻技术还可以进一步细分为浸没式光刻和非浸没式光刻。浸没式光刻通过使用液体浸没液来增加光刻机镜头与硅片之间的距离，从而提高分辨率。非浸没式光刻则不使用浸没液，而是通过改进光学系统和光源技术来实现高分辨率。
随着半导体技术的不断发展，光刻技术也在不断进步和创新，以适应更小制程的需求并提高生产效率。
