新型半导体材料种类繁多，以下列举了一些主要的新型半导体材料：
碳纳米管（Carbon Nanotubes，CNTs）：碳纳米管是一种具有优异导电性能、高强度和热导率的纳米级材料。由于其独特的结构，它在场效应晶体管、传感器、能源存储等领域有广泛应用前景。
石墨烯（Graphene）：石墨烯是一种由单层碳原子构成的二维材料，具有优异的导电性、导热性和光学性。石墨烯在电子器件、复合材料等领域具有巨大潜力。
氮化镓（GaN）：氮化镓是一种具有高击穿电压、高热导率和大带宽的半导体材料。它主要用于高频电子器件，如功率放大器、混频器等。
砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种具有高电子迁移率、低噪声和低功耗特性的半导体材料。它广泛应用于射频器件、光通信等领域。
硅碳化物（SiC）：硅碳化物是一种具有高击穿电压、高热导率和长寿命的半导体材料。它主要用于高温电子器件、功率器件等领域。
氧化锌（ZnO）：氧化锌是一种具有高光电转换效率、低功耗和宽带隙的半导体材料。它在太阳能电池、气敏传感器等领域有广泛应用。
硒化镉（CdSe）：硒化镉是一种具有高光敏性和低暗电流的半导体材料。它主要用于太阳能电池、光电探测器等领域。
硅锗（SiGe）：硅锗是一种具有高迁移率、低噪声和低功耗特性的半导体材料。它主要用于射频器件、混合信号器件等领域。
***还有一些其他新型半导体材料，如氮化铝（AlN）、氧化铝（Al2O3）、氮化硼（BN）等。这些材料在特定领域也展现出良好的应用前景。
请注意，以上列举的材料并非全部，随着科学技术的不断发展，新型半导体材料将不断涌现。
