肖特基命名法（Schottky notation）是一种用于描述半导体物理中载流子（电子和空穴）迁移率的术语。这种命名法由德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter Schottky）于1928年提出，用以取代早期的“费米”命名法。
在肖特基命名法中，n型半导体中的载流子称为“多空穴”（hole），而p型半导体中的载流子称为“多电子”（electron）。这与传统的“费米”命名法相反，在费米命名法中，n型半导体中的载流子被称为“电子”，而p型半导体中的载流子被称为“空穴”。
***肖特基命名法还引入了“势垒”（barrier）的概念，用来描述半导体中存在的势垒高度。对于n型半导体，其势垒高度用S_n表示；对于p型半导体，其势垒高度用S_p表示。这些符号有助于更简洁、明确地表达半导体的性质和特点。
*****肖特基命名法提供了一种更为直观、易于理解的描述半导体载流子和势垒的方式，为半导体物理学的发展做出了重要贡献。
